再次恭喜中国,为什么有些人还说中国芯片业依旧前路艰辛

将用于全球首条5纳米芯片制程生产线,而刚刚发布的苹果A11芯片以及华为的麒麟970均是使用10nm工艺,为什么有些人还说中国芯片业依旧前路艰辛

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如今,中微半导体5nm刻蚀机的正式敲定,将极大提升我国的芯片加工水平。这不仅每年至少为我国节省大量的外汇,更重要的是,它将为中国先进战略技术领域、基础前沿和国防安全提供了核心技术保障。

毅然回国 填补国产芯片制造领域空白

ASML正与蔡司公司合作开发数值孔径为0.5的光学系统

高数值孔径(High-NA)光学系统方面,由于极紫外光会被所有材料(包括各种气体)吸收,因此极紫外光光刻必需在真空环境下,并且使用反射式透镜进行。

目前,阿斯麦公司已开发出数值孔径为0.33的EUV光刻机镜头,阿斯麦正在为3nm及以下制程采开发更高数值孔径(NA)光学系统,公司与卡尔蔡司公司合作开发的数值孔径为0.5的光学系统,预计在2023-2024年后量产,该光学系统分辨率(Resolution)和生产时的套刻误差(Overlay)比现有系统高出70%,每小时可以处理
185 片晶圆。

曾记否,芯片制造在中国痛之已久!中国芯片行业,曾流传过这么一句话:除了水和空气,其他全从国外进口的。

最先进的像英特尔、台积电、三星它们的14纳米已经成熟生产了,10纳米随着苹果A11和华为麒麟970芯片的上市,台积电率先进入到成熟量产期。

ASML公司2018年财报亮眼

ASML公司2018年营收109亿欧元(约839亿元人民币),其中设备销售额82.59亿欧元(约636亿元人民币),净利润26亿欧元(约200亿元人民币)。2018年ASML投入16亿欧元(约123亿元人民币)研发,占营收约15
%。其中来自中国市场的销售额就占到了19%,而ASML
CEO表示来自中国市场的强劲需求还会持续下去,因此他们对2019年的业绩也很有信心。

弯道超车,中国用实力告诉世界,中国不再是核心技术的门外汉!

中微在刚刚涉足IC芯片介质刻蚀设备时,就推出了65nm等离子介质刻蚀机产品,随着技术的进步一直做到45nm、32nm、28nm等,现在16nm的蚀机产品已经在客户的生产线上运行了。

芯片技术储备不够

韩国在上世纪80年代,就以举国之力全面发展芯片半导体产业,美国更不必多说,一直以来,美日韩凭借先发优势,一直引领着芯片产业的发展,由于起步相差太远,再加上技术封锁,使得中国的技术储备严重不足。

今天,我们终于拥有了世界上最先进的刻蚀机这个“金刚钻”,中国在芯片制造核心领域突破技术“无人区”,宣告外企独霸的时代结束!!

尹志尧的刻蚀机解决了芯片制造前端的关键性难题,但芯片制造是一个完整的产业链,涉及到的环节很多,只有当这些关键环节形成合力才能真正打破国外的技术垄断。

紫外光源

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▲EUV光刻机上使用的各种紫外光光源

曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。

常见光源分为:

可见光:g线:436nm

紫外光(UV),i线:365nm

深紫外光(DUV),KrF 准分子激光:248 nm, ArF 准分子激光:193 nm

极紫外光(EUV),10 ~ 15 nm

对光源系统的要求

a.有适当的波长。波长越短,可曝光的特征尺寸就越小;(波长越短,就表示光刻的刀锋越锋利,刻蚀对于精度控制要求越高。)

b.有足够的能量。能量越大,曝光时间就越短;

c.曝光能量必须均匀地分布在曝光区。(一般采用光的均匀度 或者叫 不均匀度
光的平行度等概念来衡量光是否均匀分布)

常用的紫外光光源是高压弧光灯(高压汞灯),高压汞灯有许多尖锐的光谱线,经过滤光后使用其中的g
线(436 nm)或i 线(365 nm)。

对于波长更短的深紫外光光源,可以使用准分子激光。例如KrF 准分子激光(248
nm)、ArF 准分子激光(193 nm)和F2准分子激光(157 nm)等。

曝光系统的功能主要有:平滑衍射效应、实现均匀照明、滤光和冷光处理、实现强光照明和光强调节等。

光刻机是芯片制造的核心设备之一,按照用途可以分为好几种:有用于生产芯片的光刻机;有用于封装的光刻机;还有用于LED制造领域的投影光刻机。用于生产芯片的光刻机是中国在半导体设备制造上最大的短板,国内晶圆厂所需的高端光刻机完全依赖进口。

防失联,欢迎红友加入!

虽然芯片制造涉及数百种技术、上千种材料,但在尹志尧、姚力军、王淑敏等一批海外归国学人的努力下,中国在芯片制造技术上的突破如今已经正式开始。

ASML的光刻机怎样帮芯片助力?我们可以看一下ASML官方的介绍:

简单来说,我们制造的光刻设备是一种投影系统。这个设备由50000个零件组装而成。

实际使用过程中,则通过激光束被投穿过一片印着图案的蓝图或光掩模,光学镜片将图案聚焦在有着光感化学涂层的硅晶圆上,当未受曝光的部分被蚀刻掉时,图案随即显现……

此制程被一再重复,用以在单个芯片上制造数以十亿计的微型结构。晶圆以2纳米的精准度互相叠加,并加速移动,快如闪电,达到这种精确度可谓高科技,要知道,即使头发丝也有十万纳米,2纳米的精细可想而知。

未来,只有他的EUV光刻机能够帮助芯片接续微缩,因此这些设备纵使卖到上亿欧元,都能被客户所接受。

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5年四胜 从容应对国际巨头技术缠诉

————▼▼▼■知识补充■▼▼▼————

中国人是有骨气、有志气的。西方国家一些势力可能永远没想到,虽然他们用尽了各种制约,虽然百般发难华为,但发难一家华为,却有更多的华为正在奋起!

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回答:

要知道,如果说在工业化时代,钢铁是工业的“粮食”,那么在如今的信息化时代,“芯片”则就是现代工业的“粮食”。

或许正是由于中微在半导体设备领域的突飞猛进,也引来了两家国外竞争对手挑起的知识产权诉讼。不过,凭借过硬的自主技术专利,中微接连获得的胜利。

ASML同时重视研发投入与专业并购

ASML专注关键环节,研发投入与专业并购形成正向循环。ASML的研发人员占比将近4成,并累计1万个以上专利。相较于尼康及佳能内部研发多数部件与技术的模式,ASML推行部件外包与技术合作开发策略,专注于核心技术与客户需求,具有较高的方案弹性与效率。

ASML公司先后对光刻的细分领域龙头进行投资,其中包括在2000年收购Silicon
Valley Group,扩展了在美国的研发团队与生产基地;在
2007年收购了美国的Brion,强化了专业光刻检测与解决方案能力;为了解决
EUV的光源问题,2012年 10月,ASML斥资
19.5亿欧元,收购其关键的紫外光源技术提供商
Cymer,加速极紫外光(EUV)相关技术的开发。

ASML公司 2017年的 EUV设备 NXE 3400B,成功提高光源功率与精度,实现约
13纳米的线宽,并且采用磁悬浮系统来加速掩模及工作台,预期吞吐量可达每小时
125片晶圆,微影迭对(overlays)误差容许度在 3纳米以内。

2016年11月3日,ASML以10亿欧元现金收购卡尔蔡司SMT子公司的24.9%股权,强化双方在半导体光刻技术方面的合作,发展下一代EUV光刻系统。后两起对技术供应商的投资,加大了公司在极紫外光领域的领先优势。

同时ASML也将在未来6年内投资约2.2亿欧元支持Carl Zeiss
SMT在光学光刻技术上的研发,以及约5.4亿欧元的资本支出和其他相关供应链投资。

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尹志尧带着30多人的团队回到中国,只因为一句话:「学成只为他日归来,报效祖国」。

中微(AMEC)是我国半导体设备出口冠军

据海关统计,2017年仅中微半导体设备的出口额就占据中国半导体设备总出口额的75%,在行业设备出口领域做到了真正做到了行业第一。

他说:我们给外国人做嫁衣,已经做了很多事情了,是时候应该给自己祖国的人民做贡献了。

70多岁高龄的尹志尧依然奋战在研发一线

上海微电子 VS 荷兰ASML

上海微电子装备有限公司(SMEE)是目前国内唯一能做光刻机的企业。荷兰ASML公司是世界上唯一一个能够制造EUV光刻机的厂商,并且产量极低。其全部产能早在生产之前就被预订一空。

EUV
作为现在最先进的光刻机,是唯一能够生产 7nm
以下制程的设备,因为它发射的光线波长仅为现有设备的十五分之一,能够蚀刻更加精细的半导体电路,所以
EUV 也被成为“突破摩尔定律的救星”。

如今,业内已达成共识,更尖端的芯片制造工艺将小于5nm,并且必须使用EUV光刻机才能实现。摩根大通最新报告表示,ASML已经确认1.5nm制程的发展性,可支撑摩尔定律延续至2030年。

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▲半导体制造业的发展史

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▲摩尔定律(是半导体芯片微缩制程工艺的发展定律)

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▲光刻工艺的发展趋势

当前ASML用于7纳米制程芯片制造的最新型NXE:3400B
EUV光刻机的报价是1.2亿美元一台,它家传统的ArF沉浸式光刻机(14nm节点)报价是7200万美元一台。相比之下,中国最好的光刻机厂商上海微电子已经量产的光刻机中,性能最好的SSA600/20工艺只能达到90nm,相当于2004年上市的奔腾四CPU的水准。而国外的先进水平已经达到了7纳米,正因如此,国内晶圆厂所需的高端光刻机完全依赖进口。

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▲上海微电子的主要设备产品

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▲上海微电子装备有限公司(SMEE)生产的600系列光刻机

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▲上海微电子装备有限公司(SMEE)已经量产的光刻机中性能最好的SSA600/20光刻机

他们才是国家精神的代表,是中华民族崛起的脊梁,他们的名字将随着中国科技发展之路,载入中华民族光辉的史册!

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卡尔·蔡司公司(Carl Zeiss AG)

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▲卡尔·蔡司股份公司(Carl Zeiss AG)LOGO

蔡司是光学和光电行业国际领先的科技企业,研发并销售半导体制造设备、测量技术、显微镜、医疗技术、眼镜镜片、相机和摄影镜头、望远镜和天文馆技术。在半导体制造设备领域,卡尔蔡司在光刻领域提供了主流193纳米光刻光学系统和极紫外13.5纳米光学系统。

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▲ASML公司EUV光刻机上采用的来自卡尔·蔡司股份公司(Carl Zeiss
AG)的曲面反射镜

殷忧启圣,多难兴邦!这个世界上,从来就没有什么捷径让你弯道超车。我们只能以华为、中微为榜样,拼命挖掘潜能,努力到无以复加,从绝望之山开采出希望之石,在一个没有门的地方,用血肉之躯,冲出一扇缺口!

攻坚突破5nm工艺 力图打破欧美技术垄断

EUV光刻技术

极紫外光刻(Extreme Ultraviolet
Lithography),常称作EUV光刻或EUVL,它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm
的软x
射线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。

EUV(极紫外线光刻技术)是下一代光刻技术(<32nm节点的光刻技术)。它是采用波长为13.4nm的软x射线进行光刻的技术。是传统投影光刻技术向更短波长的延伸,正处于产业化的临界点。作为工业制造领域尖端技术的融合,世界上只有少数几家研究机构及公司掌握此技术。这种光刻技术代表了当前应用光学发展最高水平。而作为下一代光刻技术,被行业赋予了拯救摩尔定律的使命。

EUV光是通过使用来自高功率二氧化碳激光器的双脉冲瞄准微小锡滴而产生的。第一个脉冲将锡滴重新塑造成模糊的薄饼形状,这样第二个脉冲就会更加强大并且跟随它仅仅3微秒,它可以将锡爆炸成等离子体,并以13.5纳米的光照射。然后将光聚集,聚焦并从图案化的掩模上弹开,使得图案将投射到硅晶圆上。

芯片厂商计划将EUV光刻应用到最困难的光刻工序,即金属1层以及过孔生成工序,而其他大部分工序则仍将延用193nm
ArF浸润式光刻机+多重成像来制作。据ASML称,相比浸润式光刻+三重成像技术,EUV光刻技术能够将金属层的制作成本降低9%,过孔的制作成本降低28%。

除光刻机之外,EUV光刻要在芯片量产中应用仍有一些技术问题有待进一步解决,如:光刻胶、掩膜、掩膜保护薄膜(pellicle)。

这是中国芯片胜利反击的辉煌一刻,更是中国科技发展的历史一刻!

尹志尧表示,“设备的研发比芯片新技术的研发至少要提前5年。5纳米估计5年以后用户才能够用的到,苹果8是10纳米技术。而且5纳米芯片技术需要50个学科才能把它集成起来,它的复杂度要做到人的头发丝万分之一这么小的结构。”。

ASML成功邀请到了其最大的几个客户参与投资和研发

2012年7月,为了加快下一代EUV光刻技术和450mm晶圆技术研发,ASML宣布开展客户共同投资计划,邀请其最大的客户参与投资和研发。

国际半导体巨头英特尔率先做出响应,向ASML投资了33.67亿欧元,其中8.29亿欧元用于450毫米晶圆和EUV极紫外光刻技术,25.38亿欧元用于购买15%的股权。一个月后,台积电也宣布投资2.76亿欧元(3.44亿美元)帮助ASML开发新技术,再拿出8.38亿欧元购买5%的股权。随后,三星也投入也是2.76欧元)帮助ASML开发新技术,不过购买股权方面只花了5.03亿欧元(6.28亿美元),换取了3%的股权。

三大国际半导体大厂总共向ASML投入了13.8亿欧元(17.22亿美元)的研发资金,正好达到了ASML最初的预期值,而ASML通过出让23%的股权换来了38.79亿欧元(48.39亿美元),合计达到52.59亿欧元(65.61亿美元)。

英特尔、台积电、三星之所以选择资助和入股ASML其中一个原因就是为了推动其EUV光刻机的研发。

这也促使了ASML在2012年的时候就推出了试验型EUV光刻设备NXE:3100,后续又推出了量产型NEX:3300B,2014年又推出了NXE
3350B。目前各家主要在用的就是NXE 3350B。但都难以达到EUV光刻的量产要求。

好在,ASML最高端的EUV光刻机NXE
3400B已经开始出货。根据目前的情况来看,英特尔、三星、台积电都希望在7nm工艺量产上采用EUV光刻技术(英特尔可能会用于其10nm工艺的量产)。而ASML的NXE:3400B
EUV光刻机则成为了他们能否实现量产计划的关键。

放眼全球,能够邀请到主要客户参与巨额定增给自己研发费用,研发成功后的产品再卖给客户赚钱的公司,可能仅有ASML了。ASML被全球半导体巨头钦点,攻克EUV难题进而突破约束先进制程的物理障碍。

曾经,落后就要挨打,强者生存,核心技术受制于人,没有话语权,只能任人宰割,心里憋着一口闷气,却又不得不接受这个残酷的现实!

在美国硅谷从事半导体行业20多年的尹志尧,曾任AppliedMaterials应用材料公司的副总裁。91年,尹志尧来到应用材料公司,负责同一领域的研究开发工作,先后获得了60多个美国和国外的专利。尹志尧开发或参与开发的产品,现在在这个领域大概占了全世界的50%。另外,还帮助成立了硅谷中国工程师协会,并担任了头两任的主席。被誉为硅谷最有成就的华人之一。

中科院SP超分辨光刻机

提问者所说的中国光刻机达到世界先进水平,应该是指2018年11月29日通过验收的,由中国科学院光电技术研究所主导、经过近七年艰苦攻关研制的“超分辨光刻装备”项目。

该项目下研制的这台光刻机是“世界上首台分辨力最高的紫外(即22纳米@365纳米)超分辨光刻装备”。这是一种表面等离子体(surfaceplasma,SP)超分辨光刻装备。

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▲中科院研制成功并通过验收的SP光刻机

该光刻机在365纳米光源波长下,单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。结合双重曝光技术后,未来还可用于制造10nm级别的芯片。

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▲中科院研发的光刻机镜头

目前这个装备已制备出一系列纳米功能器件,包括大口径薄膜镜、超导纳米线单光子探测器、切伦科夫辐射器件、生化传感芯片、超表面成像器件等,也就是说,目前主要是一些光学等领域的器件。验证了该装备纳米功能器件加工能力,已达到实用化水平。

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▲中科院SP光刻机加工的样品

然而,此次验收合格的中科院光电技术研究所的这台表面等离子超衍射光刻机(SP光刻机)的加工精度与ASML的光刻机没法比。没法用于刻几十纳米级的芯片,至少以现在的技术不能。

据光电所专家称,该所研制成功的这种SP光刻机用于芯片制造上还需要攻克一系列的技术难题,目前距离还很遥远。也就是说中科院研制的这种光刻机不能(像一些网媒说的)用来光刻CPU。它的意义是用便宜光源实现较高的分辨率,用于一些特殊制造场景,很经济。

总之,中科院的22纳米分辨率光刻机跟ASML垄断的光刻机不是一回事,说前者弯道超车,就好像说中国出了个竞走名将要超越博尔特。

显然,中科院研制成功的这台“超分辨光刻装备”并不能说明我国在市场主流的的光刻机研制方面已经达到了世界先进水平,那么现阶段我国的光刻机的真实水平又是怎样的呢?且看以下对比。

请记住这个老人的名字:尹志尧,还有那些在为中国半导体事业奋战在一线的人们,致敬!

爱国科学家齐发力 中国芯很快将崛起

我国芯片产业的真实水平体现在以下几个方面:

⑴在美国制裁中兴前,很多人并不清楚我国芯片产业的短板。残酷的事实表明,除了移动通信终端和核心网络设备有部分集成电路产品占有率超过10%外,包括计算机系统中的MPU、通用电子系统中的FPGA/EPLD和DSP、通信装备中的Embedded
MPU和 DSP、存储设备中的DRAM和Nand Flash、显示及视频系统中的Display
Driver,国产芯片占有率都是0;

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▲核心集成电路国产芯片市场占有率

⑵据SEMI数据显示,中国本土公司芯片需求与供应额正持续扩大,2017年中国公司仅能满足本土芯片需求的26%左右。此外,目前我国半导体设备自制率不足15%,且集中于晶圆制造的后道封测,前道工艺制程环节的关键设备如光刻机、刻蚀机、薄膜沉积等仍有待突破;且晶圆制造等设备在采购中面临国外企业的技术封锁,需要全面推进国产化工作;

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▲我国集成电路国内市场销售总额以及自给率统计图(注:2016年起,我国集成电路的自给率均在10%以上,E——Estimate:估计,预测)

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▲集成电路生产步骤、主要工艺以及所需的设备

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▲集成电路制造设备

⑶我国虽然是全球最大的芯片市场,但是由于国内芯片产业整体实力落后于世界先进水平,每年不得不从国外大量进口芯片,进口额高、贸易逆差大成为芯片产业难以撕掉的标签。据海关总署数据显示,2013年以来,集成电路年进口额便维持在2000亿美元以上,2017年达到2601亿美元。进出口贸易逆差也在不断扩大,2017年达到了近年来最高值1932亿美元。芯片产业长期被国外厂商控制,进口额常年居高不下,已经超过了石油和大宗商品,成为我国第一大进口商品;

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▲2015~2017年我国集成电路和原油进口额对比图

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▲近几年我国集成电路进、出口总额以及贸易赤字数据统计图

⑷我国虽然有着全球最大的半导体市场,但集成电路设计企业的主流产品仍然集中在中低端,与国外企业差距巨大。据Gartner发布的数据,2018年营收规模排在全球前10名的半导体企业中,无一家属于中国,其中韩国占2家,欧洲2家,而美国则多达6家,是名副其实的芯片霸主。图片 23
▲2018年全球排名前10的半导体公司

就目前产业情况来看,中国芯片顺利完成国产化进程,仍然需要一定的时间,大约是10-15年。所以,即便是我国的蚀刻机技术已经达到了世界先进水平,我国的芯片产业依旧前路艰辛。

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▲我国半导体产业的发展阶段图

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▲我国的国家集成电路发展推进纲要


扬眉吐气、创造历史!

毫无疑问,一直以来,中国的半导体技术在市场上是完全没有竞争力的!但是不攻占这一领域,中国永远谈不上制造强国。核心技术上一旦长期受制于人,那么大量的利润,以及市场的话语权都会给别人占据!

EUV光刻机所使用的蔡司曲面反射镜性能达到了变态完美级

极紫外EUV对于曲面反射镜的要求可以用变态地完美来形容,若镜面涂层中出现小缺陷会将光学图案扭曲并影响电路图案,最终会导致芯片性能缺陷。

蔡司反射镜所能容忍的缺陷为皮米数量级(千分之一纳米),ASML的总裁Peter
Wennink曾经接受采访表示,如果反射镜的面积有德国这么大,最高凸起不能超过一公分。

经台积电验证,中微半导体自主研制的5纳米等离子体刻蚀机,性能优良,将用于全球首条5纳米芯片制程生产线。

不久前,央视报道了这样的一则消息,中微半导体设备公司将在今年年底正式敲定5nm刻蚀机!而刚刚发布的苹果A11芯片以及华为的麒麟970均是使用10nm工艺。

DUV和EUV的区别

DUV是深紫外线(Deep Ultraviolet
Lithography)。紫外线中波长在200纳米至350纳米的光线被称为深紫外线,被广泛用于净水厂、医院、工厂无尘车间的空气杀菌、处理甲醛等领域。目前常见的浸入式深紫外光刻机(DUV)使用的时193nm波长的深紫外光。

EUV是极紫外线(Extreme Ultraviolet
Lithography)。EUV光刻技术是以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm
的软x
射线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。现在的EUV光刻机使用的是波长13.5nm的极紫外光。

5 纳米,什么概念?

“在米粒上刻字的微雕技艺上,一般能刻200个字已经是极限,而我们的等离子刻蚀机在芯片上的加工工艺,相当于可以在米粒上刻10亿个字的水平。”尹志尧这样形容到。

刻蚀设备全球主要生产厂商

国内产商:中微半导体、北方微电子、金盛微纳科技;

国外厂商:泛林半导体、应用材料、东京电子。

中国,加油!

据介绍,一个16nm的微观逻辑器件有60多层微观结构,要经过1000多个工艺步骤,要攻克上万个技术细节才能加工出来。只看等离子体刻蚀这个关键步骤,它的加工尺度为普通人头发丝的五千分之一,加工的精度和重复性要达到五万分之一。

中微(AMEC)主要的产品和技术

一、电介质刻蚀机

公司率先开发了包括甚高频去耦合反应离子刻蚀的等离子体源和双反应台的反应腔等一系列完全自主创新的设计,使之与国外同类设备相比,在产能、洁净室面积占用和设备拥有成本等重要指标上都具有约30%的优势。

目前完成了65-45纳米、32-22纳米、22-14纳米三代电介质刻蚀装备产品研制并实现了产业化,而且已经在国际市场上,在各个技术节点上都与世界最先进的设备厂商竞争。
中微半导体的CCP介质刻蚀设备已经全面进入国际领先的芯片生产线。介质刻蚀已经占到40纳米到28纳米的国内Foundry市场的40%以上。

在最领先的Foundry已经有了232个反应台,生产了2500多万片晶圆。中微已经在10纳米和7纳米的研发线核准了几道刻蚀应用,成为了标配设备。

同时中微半导体已经开始了5纳米的器件刻蚀开发,会核准更多的蚀刻应用。

1、Primo D-RIE™

Primo
D-RIE™是中微(AMEC)公司自主研发的300毫米电介质刻蚀设备,可以用于加工64/45/28纳米氧化硅(SiO),氮化硅(SiN)及低介电系数(low
K)膜层等不同电介质材料。

设备系统可以灵活地装置多达三个双反应台反应器,以达到最佳芯片加工输出量。
每个反应台独立的射频发生器,各反应台均匀度的分别控制和刻蚀终点控制,使得每片晶圆可以在独立的反应环境中被刻蚀处理,达到最佳结果。这是业界第一次在同一机台上实现单芯片或双芯片加工随意转换成为可能。

2、Primo AD-RIE™

Primo AD-RIE是中微(AMEC)
公司用于流程前端(FEOL)及后端(BEOL)关键刻蚀应用的第二代电介质刻蚀设备,主要用于22纳米及以下的芯片刻蚀加工。Primo
AD-RIE具备更优越的重复性及稳定性以外,还可将晶片上关键尺寸均匀度控制在2纳米内。

Primo AD-RIE™
设备的单位投资产出率比市场上其他同类设备提高了30%以上,占地面积较其他同类设备减少了30%以上,并能使加工晶圆的成本降低20%至40%,Primo
AD-RIE™
设备已成为市场上生产率最高、单位投资产出率最高的先进刻蚀设备,用于各种关键及通常的工艺应用。

二、硅通孔刻蚀机

开发了8英寸和12英寸TSV硅通孔刻蚀设备Primo TSV200E和Primo
TSV300E;特色是拥有双反应台的反应器,既可以单独加工单个晶圆片,又可以同时加工两个晶圆片。Primo
TSV可安装多达三个双反应器(6个反应台),与同类竞争产品仅有单个反应台的设备相比,中微TSV刻蚀设备的这一特点使晶圆片产出量近乎翻了一番,同时又降低了加工成本,单位投资产出率比市场上其他同类设备提高了30%。可应用于8英寸晶圆微电子器件、微机电系统、微电光器件等的封装。

产品不但占有了约50%的国内市场,而且已经进入了台湾、新加坡、日本和欧洲市场。特别是在国际MEMS传感器最领先的博世(BOSCH)和意法半导体(STM)进入大生产。

而且Primo TSV300E可以和中微的Primo
D-RIE™刻蚀设备灵活结合,混合配置出具备在同一平台进行等离子体刻蚀和TSV硅通孔刻蚀能力的设备。这种灵活的安排带来了技术最优化和成本的竞争优势。

三、MOCVD

中微的MOCVD设备在国内氮化镓蓝光LED外延加工市场实现逆袭,其第二代Primo
A7设备,已在国内全面取代德国Aixtron和美国Veeco的设备。每台Prismo
A7设备可容纳多达4个反应腔, 每个反应腔的产量是中微第一代MOCVD设备Prismo
D-BLUE的2倍多,也就是每台可同时加工136片4英寸外延晶片。同时A7已在中国大陆、台湾、日本、韩国和美国等国家和地区申请专利155项(包括授权和未授权)。

自2016年第二代MOCVD设备Prismo
A7第一次推向市场以来,已经付运超过100台腔体。

MOCVD的产品有着广阔的不断成长的市场,从照明领域的蓝光LED到红黄光LED/紫外光LED,再到功率领域的功率器件,再到显示领域的Micro-LED,再到IC领域的单晶IC器件。

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国际半导体三巨头出售ASML股票获利颇丰

不过,台积电已于2017年5月全部出售了其所持有的5%的ASML股权,获利214亿台币(约合6.95亿美元)。

2016年三星以6.06亿欧元的价格出售630万股ASML股票,每股约96欧元,仅这一笔出售三星获利颇丰。

英特尔从2016年底开始出售ASML股权,截至2017年9月,英特尔仍持有ASML约7.6%的股份。

显然,英特尔、三星和台积电之所以都这样做,都是想在芯片制造领域取得领先的技术优势。

岂不闻任正非的那句话:不要遇到一点困难,就悲观,不要遇到一点挑战,就想投降,投降没有出路,只会被人蹂躏。要敢于亮剑,提刀跨马杀敌。

一切从零开始,凭着过去20多年的经验和基础技术支持,尹志尧和他的团队很快就开发出了第一台国产的生产半导体芯片的设备——-等离子体刻蚀机

半导体芯片的刻蚀工艺

按照掩模图形对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术工艺,是与光刻相联系的图形化处理的主要工艺。所谓刻蚀,说的通俗一点就是利用有化学活性的等离子体在硅片上雕刻出微观电路,是芯片设计过程中一个关键工艺环节。

蚀刻通常分为干法刻蚀和湿法刻蚀。湿法刻蚀主要是在较为平整的膜面上用稀释的化学品等刻出绒面,从而增加光程,减少光的反射。干法刻蚀是用等离子体(气体)进行薄膜刻蚀的技术工艺,通过电场对等离子体进行引导和加速,使其具备一定能量,当其轰击被刻蚀物的表面时,更快地与材料进行反应,从而利用物理上的能量转移实现刻蚀目的。

在中微这个隐形的巨人背后,是年过七旬的尹志尧及其团队。没有他们的引领、创造、坚持和支撑,就没有取得成果的今天。

坐拥60多项专利 它是掌握西方芯片核心科技的技术狂人

中微半导体设备(上海)有限公司

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▲中微半导体设备(上海)有限公司 (AMEC)的LOGO

公司名称:中微半导体设备(上海)有限公司

英文名称:Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc.

所属地区:上海市

厂商类型:设备厂商

公司网站:

数据提供:上海集成电路行业协会提供

中微半导体设备(上海)有限公司
(AMEC)由尹志尧博士与杜志游博士、倪图强博士、麦仕义博士等40多位半导体设备专家创办,主要深耕集成刻蚀机领域,研制出中国大陆第一台电介质刻蚀机。

该公司于2004年5月31日在浦东新区市场监管局登记成立。法定代表人是尹志尧(GERALD
ZHEYAO YIN)。

中微半导体设备(上海)有限公司是一家具有自主研发功能的科研企业,研发了多款具自主知识产权的芯片设备,并在全球范围内申请了1200余项专利。

中微半导体拥有一支国际化的团队,经过海外引进和本土培养,中微600多名员工来自十多个国家和地区。而且公司的研发团队十分完整,200多人的专业背景覆盖30多门学科,为刻蚀机研发这一系统工程奠定了基础。

有志者、事竟成,破釜沉舟,百二秦关终属楚;苦心人、天不负,卧薪尝胆,三千越甲可吞吴。

放弃百万美元年薪毅然回国 他的研发成果让中国芯片制造实现赶超

光刻机是半导体工业皇冠上的明珠

半导体芯片制作分为IC设计、IC制造、IC封测三大环节,光刻作为IC制造的核心环节,其主要作用是将掩模版上的芯片电路图转移到硅片上。由于光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平,光刻成为IC制造中最复杂、最关键的工艺步骤,耗费时间约占整个硅片工艺的40―60%,支出约为整个硅片制造工艺的1/3。光刻的核心设备――光刻机更是被誉为半导体工业皇冠上的明珠。

当全世界都将目光投向华为时候,上海突然传来大消息,让国人为之振奋,让世界为之震撼:

据了解,在过去9个多月时间里,中微的反应台交付量已突破400台;单反应台等离子体刻蚀设备已交付韩国领先的存储器制造商;双反应台介质刻蚀除胶一体机研制成功,这是业界首次将双反应台介质等离子体刻蚀和光刻胶除胶反应腔整合在同一个平台上。

上海微电子定购了一批瑞士高精尖机床

据消息人士披露,上海微电子订了一批Bumotec机床。Bumotec是瑞士斯达拉格旗下的子品牌,能制造世界顶尖的加工光学仪器的机床,据说比ASML用的德国机床还好点——一般人耳熟能详的那些高端机床,和斯达拉格不是一个世界的。斯达拉格专攻高精尖制造领域的制造设备,所以知道这个公司的人非常少。但名气小不意味着技术就不顶尖。相信随着这批机床的到货,有助于上海微电子攻克65nm光刻机的技术难关。

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即便是能够自主设计顶级麒麟芯片的华为,其也要让中国台湾企业台积电代工!因为在中国内地,绝大多数半导体公司目前仅掌握着生产40nm和28nm规格的技术。跟当今世界上最高规格的10
nm半导体技术整整差了三代!

尹志尧简介

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▲尹志尧——中微半导体设备(上海)有限公司(AMEC)董事长兼总裁

尹志尧,男,北京人,中国国籍,

中微半导体设备(上海)有限公司董事长。

1968年,尹志尧从中国科学技术大学化学物理系毕业。1980年,前往加利福尼亚大学洛杉矶分校留学,并获得物理化学博士学位。2004年,尹志尧在上海创办中微半导体设备公司(AMEC)担任公司董事长兼总裁。

1956年,尹志尧考入北京市第四中学,在校期间一直做共青团少先队的工作,1962年毕业。

1962年,尹志尧考入中国科学技术大学化学物理系,因文革爆发直到1968年春毕业。

从1968到1971年,工作于兰州炼油厂。

1973年,转到中科院兰州物理化学所。

1978-1980年,在北京大学化学系攻读硕士。

1980年,在美国一些亲戚的帮助下,来到加州大学洛杉矶分校攻读博士学位。三年半就拿到物理化学博士学位。

1984年,以后的16年里一直在硅谷工作。开始是在Intel公司的中心技术发展部门做电浆蚀刻工作。

1986年,转到LAM研究所,开始是高级工程师,后来做到了技术发展经理。在那里尹志尧负责彩虹等离子体刻蚀设备的开发。LAM靠着一些非常好的产品成为这个领域的领先者之一。

1991年,尹志尧来到应用材料公司,负责同一领域的研究开发工作,先后获得了60多个美国和国外的专利,还有一些正等着批准。尹志尧开发或参与开发的产品,现在在这个领域大概占了全世界的50%。曾任Applied
Materials应用材料公司的副总裁,负责等离子体刻蚀部门的业务。另外,还帮助成立了硅谷中国工程师协会,并担任了头两任的主席。曾被誉为“硅谷最有成就的华人之一”。

2004年,60岁的尹志尧毅然放弃了美国的百万美元的年薪,冲破美国政府的层层审查,带领着三十多人的团队回到中国。只因一句,学成只为他日归来,报效祖国!势必要为中国半导体事业做出贡献!临行前,他(她)们一群人遭到了美国安全部门地阻挠,所有人员持有的600多万个文件,和所有个人电脑被彻底清查,所有的工艺过程、设计图纸被全被没收。

60岁的他,和美国硅谷几个志同道合的伙伴回到上海,组建了中微半导体设备公司(AMEC),他自己担任公司董事长兼总裁。日本媒体得知此事后惊呼,半导体技术必将会在中国飞速发展!

他说:我们给外国人做嫁衣,已经做了很多事情了,是时候应该给自己祖国的人民做贡献了。

2012年,尹志尧获得上海市“白玉兰纪念奖”。

而且,他不仅是自己一个人回来,还带领了三十多人的优秀华人团队,可以说人人都有自己的高端技术武器。他们白手起家创办起了:中微半导体,回国十多年,就再次创造了奇迹:凭借自主创新,中微已申请1200多件国内外专利。

如果说在工业化时代,钢铁是工业的“粮食”,那么在如今的信息化时代,“芯片”则就是现代工业的“粮食”。中国的芯片行业一直流传着这样一句话,除了水和空气以外,其它全是从国外进口的。

光刻胶

光刻胶方面,要实现大规模量产要求光刻胶的照射反应剂量水平必须不高于20mJ/cm2。而目前要想得到完美的成像,EUV光刻胶的照射剂量普遍需要达到30-40mJ/cm2。在30mJ/cm2剂量水平,250w光源的EUV光刻机每小时吞吐量只能达到90片,显著低于理想的125片。

由于EUV光刻产生的一些光子随机效应,要想降低光刻胶的照射剂量水平仍需克服一系列挑战。其中之一是所谓的光子发射噪声现象。光子是光的基本粒子,成像过程中照射光光子数量的变化会影响EUV光刻胶的性能,因此会产生一些不希望有的成像缺陷,比如:线边缘粗糙(line-edge
roughness:LER)等。

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台积电虽然已经到中国大陆投资设厂,但按照台湾方面的要求,台积电大陆工厂的技术必须落后台湾三代。因此,可以说,中国芯片制造「痛之久已」。

刻蚀机加工芯片的过程好比在指甲盖大小的芯片上建密密麻麻的“立交桥和高速公路”

只有通过一层层的刻蚀,才能把芯片做出来。这又是国外垄断的领域。于方寸间近乎神一样的操作,要求刻蚀机的精度必须达到极致。打个比方,在高倍的电子扫描镜下,将芯片放大一万倍,它的结构就像是密密麻麻的立交桥和高速公路,而这些高速公路,只有头发丝的万分之一那么宽。刻蚀机就是在指甲盖大小的芯片上建这些“立交桥和高速公路”。

它是头发丝直径二万分之一这么小,要是用这么细小的笔尖,就可以在一粒大米上,写出十亿个中文字。方寸间近乎极限的操作,对刻蚀机的控制精度提出超高要求。

2013年至2017年,中国多晶硅进口从8万多吨攀升至14万多吨,其中电子级多晶硅年需求达4500吨。不过,今年5月24日,中国国家电力投资集团公司「黄河水电新能源分公司」正式推出大陆国产高纯电子级多晶硅,终于打破国外垄断。

EUV光刻的关键技术包括EUV光源和高数值孔径(NA)镜头

EUV光刻的关键技术包括EUV光源和高数值孔径(NA)镜头,前者关乎光刻机的吞吐量(Throughput),后者关乎光刻机的分辨率(Resolution)和套刻误差(Overlay)能力等。

目前,全球EUV光刻机生产基本上由荷兰ASML公司所垄断,ASML光刻机的镜头由德国Carl
Zeiss(卡尔·蔡司)公司提供,光源则来自美国Cymer公司。

Cymer公司是世界领先的准分子激光源提供商,发明了如今半导体制造中最关键的光刻技术所需的深紫外(DUV)光源。产品主要特性是:带宽窄,运行速度高,可靠性强。Cymer光源在批量生产符合特定规格的的世上最先进的半导体芯片时起着决定性的作用。为了加快EUV的研发进度,ASML已于2012年10月收购了美国Cymer公司。

在这之前的2007年,ASML还收购了总部位于美国加州Santa
Clara的睿初(Brion)科技公司,该公司致力于计算光刻等方面的服务,用于检测光刻缺陷及提出相应修正解决方案,在同行业中处于领跑位置。

每台EUV设备都基于大功率二氧化碳激光器和“触发”激光器,在EUV源腔内的锡液滴加工时,产生宽带发射光,此外还需要由钻石制成的专业光学元件。

在EUV光刻技术中,采用反射镜而非透镜进行缩影。ASML采用的曲面反射镜来自德国卡尔·蔡司公司(Carl
Zeiss AG)。

打个比方,在高倍的电子扫描镜下,将芯片放大一万倍,它的结构就像是密密麻麻的立交桥和高速公路,而这些高速公路,只有头发丝的万分之一那么宽。刻蚀机就是在指甲盖大小的芯片上建这些“立交桥和高速公路”。

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注:☞

全球!首条!5纳米芯片制程生产线!

2007年中微在美国被行业巨头应用材料公司起诉侵权,但却始终举证无力,中微则抓住机会适时反诉对方不正当竞争,应用材料公司显然对这一情况准备不足,最终不得不撤诉求和。

中微(AMEC)在国际客户满意度调查榜单上取得了很高的排名

2018年5月,中微半导体设备(上海)有限公司(AMEC)在全球领先的半导体行业市场研究公司VLSI
Research发布2018年度客户满意度调查的多项排名中位居前五。其中在芯片制造设备专业型供应商的前十名中位居第二,并被客户列为“值得信赖和推荐的供应商”,在全球晶圆制造设备供应商中排名第三,在专用芯片制造设备供应商中排名第四。这是自1988年VLSI开始举办客户满意度调查,至今30年来首个上榜的中国本土装备供应商。

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▲全球领先的半导体行业市场研究公司VLSI
Research发布2018年度客户满意度调查,其中在芯片制造设备专业型供应商的前十名中,中微半导体设备(上海)有限公司(AMEC)位居第二

芯片要成为产品,需要设计和制造。光刻机和刻蚀机都用于芯片制造,光刻机相当于把设计的电路图复制到硅片上,刻蚀机再按照这个图进行施工,他们同样都是集成电路生产过程中必不可少的一环。

考虑到给外国人做嫁衣,已经做了很多事情了,高新技术的本土化成为了他创业的初衷。2004年尹志尧回国创办中微半导体时已经60岁,当时的出租车司机说他只有38岁,他说太好了,以后自己就是38岁的人。他一直保持着年轻人的活力,一天工作超过16个小时成为家常便饭。

ASML公司

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▲ASML公司LOGO

荷兰ASML公司 (全称: Advanced Semiconductor Material Lithography,

中文名称为阿斯麦(中国大陆)、艾司摩尔(中国台湾)。目前该全称已不做做为公司标识使用,公司的注册标识为ASML
Holding N.V(NASDAQ:ASML、Euronext:ASML)。

ASML创立于1984年,是从飞利浦独立出来的一个半导体设备制造商。前称ASM
Lithography Holding
N.V.,于2001年改为现用名,总部位于荷兰费尔德霍芬(Veldhoven),全职雇员12000余人,是一家半导体设备设计、制造及销售公司。

ASML是全球最大的半导体设备制造商之一,向全球复杂集成电路生产企业提供领先的综合性关键设备。

1995年,ASML的股票分别在阿姆斯特丹及纽约上市。

坐拥 60 多项专利,尹志尧是掌握西方芯片核心科技的技术狂人。2004
年,被誉为“硅谷最有成就的华人之一”已经 60
岁的他,早已在美国功成名就可以安享晚年,而他却在此时,做了一个令所有人吃惊的决定:放弃美国的百万美元年薪,回中国再创业!

目前尹志尧的团队能研发生产10nm到7nm的设备已经与世界最前沿技术比肩。这些团队精英中,上百人都曾是美国和世界一流的芯片和设备企业的技术骨干,大都有着20到30多年半导体设备研发制造的经验。而且这些工程师们必须有着物理、化学、机械、工程技术等50多种专业知识背景。

光刻机三巨头:荷兰的ASML(阿斯麦)、日本的Nikon(尼康)和Canon(佳能)

自从1978年,美国GCA公司推出了全球第一台光刻机之后,日本的光学设备巨头Nikon便在光刻机市场迅速崛起,日本的佳能和荷兰的ASML也是紧跟其后,很快市场上便形成了三强并立的局面,这三家厂商几乎垄断了整个光刻机市场。其中尼康市的场份额长期都在50%以上,可谓是当之无愧的霸主。

不过在193nm光刻技术逐渐成为市场主流之后,Nikon和Canon的市场份额便开始加速下滑,ASML开始后来居上。特别是2002年之后,193nm浸没式光刻技术迅速成为光刻技术中的新宠,因为此种技术的原理清晰及配合现有的光刻技术变动不大,获得了众多厂商的应用,此后很多45nm、32nm工艺的CPU芯片制造,都是采用193nm液浸式光刻系统来完成的。

而ASML也凭借其在193nm浸没式光刻技术上的优势一举超越了Nikon和Canon。
目前193nm液浸式光刻仍然是应用最广且最成熟的技术,能够满足精确度和成本要求,所以其工艺的延伸性非常强,很难被取代。再加上新的EUV光刻技术的一再推迟,以至于随后的22/16/14/10nm节点主要几家芯片厂商也仍然继续使用基于193nm液浸式光刻系统的双重成像(double
patterning)技术。

是啊,让我们感谢以中微团队为代表的众多科研工作者吧!为了制造中国芯,为了振兴中华,他们毅然放弃了在国外的安逸富足的生活,选择了回国,默默的做着平凡而伟大的事!

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光掩膜版

光掩膜版,EUV光刻使用镜面反射光而不是用透镜折射光,因此EUV光刻采用的光掩膜版也需要改成反射型,改用覆盖在基体上的硅和钼层来制作。同时,EUV光刻对光掩膜版的准确度、精密度、复杂度要求比以往更高。

当前制作掩膜版普遍使用的可变形状电子束设备(VSB),其写入时间成为最大的挑战,解决方案之一是采用多束电子束设备。包括IMS公司、NuFlare公司等已在开发相关多束电子束产品,多束电子束设备能够提高光掩膜版制作效率,降低成本,还有助于提高光掩膜版的良率。未来,大部分EUV光掩膜版仍可以使用可变形状电子束设备来制作,但是对少数复杂芯片而言,要想保持加工速度,必须使用多束电子束设备。

今年4月,尹志尧的中微半导体公司宣布,已经掌握5奈米技术,预计年底正式敲定5纳米刻蚀机。无独有偶,两周后,IBM也宣布掌握5奈米技术。因此,尹志尧这一宣布,意味着中微在核心技术上突破了外企垄断,中国半导体技术第一次占领至高点。

我国芯片产业人才现状

2018年8月17日,中国电子信息产业发展研究院(CCID)和工业和信息化部软件与集成电路促进中心(CSIP)在京联合发布了《中国集成电路产业人才白皮书(2017-2018)》。

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▲《中国集成电路产业人才白皮书(2017-2018)》发布现场

据白皮书统计分析显示,到2020年前后,我国集成电路产业人才需求规模约为72万人左右,截止到2017年底,我国集成电路产业现有人才存量40万人左右,人才缺口为32万人,年均人才需求数为10万人左右,而每年高校集成电路专业领域的毕业生中仅有不足3万人进入到本行业就业。单纯依托高校不能够满足人才的供给要求,应大力发展职业培训并开展继续教育活动,加大海外高层次人才引进力度,采取多种形式大力培养和培训集成电路领域高层次、急需紧缺和骨干专业技术人才。

更值得敬佩的是,尹志尧是一个淡泊名利的人,也是一个非常清醒的人。他多次强调,集成电路是全球集成努力的结果,中微今日的成就,来自于团队中所有人的共同努力。因此,不要宣传他个人,而是宣传中微团队的作用!

如今,中微正在开发开发5纳米芯片制造设备意欲打破德美垄断。这个技术要求芯片上的均匀度达到0.5纳米,相当于原子水平。目前世界上投入最先进的芯片是10纳米,而中国能够量产最新的芯片还在40纳米和28纳米,和国际最尖端的水平还差3代。在这个高度竞争的行业,谁能够在技术上领先,谁就能占领市场。

ASML公司的高端光刻机型号

ASML为半导体生产商提供光刻机及相关服务,TWINSCAN系列是目前世界上精度最高,生产效率最高,应用最为广泛的高端光刻机型。目前全球绝大多数半导体生产厂商,都向9ASML采购TWINSCAN机型,例如英特尔(Intel),三星(Samsung),海力士(Hynix),台积电(TSMC),中芯国际(SMIC)。

ASML的产品线分为PAS系列,AT系列,XT系列和NXT系列,其中PAS系列光源为高压汞灯光源,现已停产,AT系列属于老型号,多数已经停产。市场上主力机种是XT系列以及NXT系列,为ArF和KrF激光光源,XT系列是成熟的机型,分为干式和沉浸式两种,而NXT系列则是现在主推的高端机型,全部为沉浸式。

三星已经量产的7nm LPP(Low Power
Plus)工艺芯片采用ASML的EUV光刻机,型号为双工件台NXE:3400B(光源功率280W),日产能1500片。

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▲ASML最新的 TWINSCAN NXE:3400B EUV光刻机

值得一提的是,ASML2019年下半年会推出新一代的NXE:3400C型光刻机,WPH(每小时处理的晶圆数量)产能从现在的每小时125片晶圆提升到155片晶圆以上,意味着产能提升24%。

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▲ASML2019新一代的NXE:3400C型光刻机(预计将于2019年下半年推出)

现在的NXE:3400B型EUV光刻机的产能为125
WPH,而NXE:3400C的产能预计再提升24%,这对改善EUV工艺的产能很有帮助。

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▲ASML2018年8月出货的新品Twinscan NXT:2000i DUV光刻机
(NXT:2000i双工件台深紫外光刻机)

NXT:2000i也成为了ASML旗下套刻精度(overlay)最高的产品,达到了和3400B一样的1.9nm,远低于5nm要求的2.4nm以及7nm要求的至少3.5nm。
未来将会用于全新的7nm和5nm的工艺。

ASML解释道,i是immersion的意思。NXT2000都是immersion的机器。所以NXT2000即NXT2000i。

NXT2000i将是NXE3400B
EUV光刻机的有效补充,毕竟台积电/GF的第一代7nm都是基于DUV工艺。

禁运!禁售!少数国家一旦无法在公平的环境里竞争取胜,最常用的手段就是禁售。我国一直在芯片行业受制于人,时常遭遇国外掐脖子、禁售等种种制约。

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中微(AMEC)以新加坡为全球销售和市场总部

尹志尧说,由于新加坡已成为亚洲半导体制造业的重镇,所以AMEC将其全球销售和市场总部设在了那里。
他说,选择新加坡作为市场总部,是有多方面考虑的。

首先,新加坡政府和经济发展局对高科技非常重视,提供了优惠条件。其次,新加坡的财务制度很健全,法律制度也很严谨,这对投资者来说非常重要。第三,新加坡有非常好的芯片生产的工业基础,比如在机械加工和线路板供应等配套设施方面,都是令人满意的。最后一点,新加坡政治稳定,政府廉洁高效,而且新加坡员工的市场营销能力非常出色。

中微是半导体设备领域唯一一家高端产品达到国际先进水平并全面进入国际市场的中国企业。

中微注重研发投入来保持设备产品及技术的先进性,主营三大类产品:

用于纳米级芯片生产的介质刻蚀设备(D-RIE)、用于三维芯片等多种产品生产的硅通孔刻蚀设备(TSV)和用于半导体照明和功率器件芯片生产的金属有机化合物气相沉积设备(MOCVD)。

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▲2018年3月13日,中微半导体设备(上海)有限公司(以下简称“中微”)在上海举办的SEMICON
China期间正式发布了第一代电感耦合等离子体刻蚀设备Primo
nanova®,用于大批量生产存储芯片和逻辑芯片的前道工序。

Primo nanova®是中微公司的注册商标。

中微半导体的目标是:未来十年将持续开发新产品,扩大市场占有率,2020年营收达20亿元、2050年营收达50亿元,并进入国际五强半导体设备公司。

打铁还需自身硬!中国不可能不发展,中国企业不可能不进步。摇尾乞怜、甘居下流绝不可以,自废武功、永世落后更会遭到更大欺凌,我们没有他路可走,唯有咬牙让自己更加强大起来!

2009年另一巨头美国科林研发又在台湾起诉中微侵犯其发明专利,由于中微半导体在前期已作了大量的知识产权预警分析和准备工作,所以,仅用不到一个月时间,公司就决定“以攻为守”,向法院提交了大量证据,采用“釜底抽薪”的做法,主张科林公司两项专利无效。同时,企业还向台湾智慧财产局主张科林公司的专利无效。

文字资料来源——

百度百科词条:

“光刻机”、“随机存取存储器”、“ReRAM”、“极紫外光刻”、“ASML”、“上海微电子装备有限公司”、“中微半导体设备(上海)有限公司”;

百家号:中华精选、金融界、观察者网、威锋网、竞争制高点、超能网、牧童山庄;

百度文库:“什么是3D NAND?与2D
NAND相比有什么优势?”——深圳联华祥电子有限公司供稿;

其他:快科技、电子发烧友网
、搜狐财经——起点财经、Yesky天极新闻、中关村在线、半导体行业观察、cnBeta、电子发烧友网、泡泡网、

个人图书馆——mingmu888、MAIGOO——买购网、

EEWORLD电子工程世界、半导体圈、半导体行业联盟、www.smee.com.cn——上海微电子装备有限公司(SMEE)官网、电子产品世界、www.diodelaser.com.cn——光粒网、智研咨询、新浪财经——智通财经网、

中国科学院网站、中国报告网、www.chinesechip.com——中芯网。

别人的总是别人的,像5纳米刻蚀机这种最高端的核心技术,中国最终只能靠自己。

2009年9月8日,台湾智慧财产法院一审判决科林公司专利无效。中微半导体很快接到了台积电的订单。此后,中微半导体又在科林公司上诉的二审中获胜。在台湾智慧财产局的交锋中,中微半导体以充足的证据,使得科林公司的聚焦环配置专利于2011年被宣布无效,密封环专利也被宣布无效,扫除了产品进入台湾市场的知识产权障碍。

半导体芯片生产的光刻工艺

光刻的过程就是现在制作好的硅圆表面涂上一层光刻胶(一种可以被光腐蚀的胶状物质),接下来通过光线(工艺难度紫外光<深紫外光<极紫外光)透过掩膜照射到硅圆表面(类似投影),因为光刻胶的覆盖,照射到的部分被腐蚀掉,没有光照的部分被留下来,这部分便是需要的电路结构。

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▲光刻工艺步骤

光刻(lithography)为集成电路微细化的最关键技术。当前在16/14nm节点乃至10及7nm节点,芯片制造商普遍还在使用193nm
ArF浸润式光刻机+多重成像技术,但采用多重成像技术后将增加曝光次数,导致成本显著上升及良率、产出下降等问题。根据相关企业的规划,在7/5nm节点,芯片生产将导入极紫外(EUV)光刻技术,EUV光刻使用13.5nm波长的极紫外光,能够形成更为精细的曝光图像。

刻蚀机,则是芯片制造的核心装备。现代信息技术和人工智能,都是以芯片为基础的。而刻蚀机作为制造芯片的工具,和光刻机一样,就相当于农业时代的人手,工业时代的机床。

而在中微这个隐形的巨人背后,如今已年过七旬的尹志尧就是那个点燃星火的人。

中微(AMEC)产品的性能达到了世界顶尖水平

⒈高端等离子刻蚀机领域:

中微的12英寸CCP介质等离子体刻蚀机已成为和美日设备并列的三个最有竞争力的产品之一;

⒉硅通孔刻蚀机领域:

中微的TSV硅通孔刻蚀机是业界唯一的双台机,是性能好、加工成本最低的刻蚀设备,已经可以和美国、日本和欧洲TSV刻蚀机比肩而行;

⒊化学薄膜技术MOCVD领域:

中微的MOCVD是具有自动传送的四反应腔系统,可以连续加工上百批LED,是业界仅有可做到这个水平的两种设备之一,成功地填补了中国在该领域的空白。

把它放到您的圈子里!请让更多的国人知道!谢谢!

尹志尧曾被认为是硅谷最成功的华人代表

光刻机的运作机制

光刻设备是一种投影曝光系统。在半导体制作过程中,光刻设备会投射光束,穿过印着图案的掩模及光学镜片,将线路图曝光在带有光刻胶的硅晶圆上;通过光刻胶与光的反应来形成沟槽,然后再进行沉积、蚀刻、掺杂,架构出不同材质的线路。

其中掩膜版上面会有很多的布线,形成沟槽以后在里面会布很多的二极管、三极管等,来形成不同的功能。单位面积上布的线越多,能够实现的功能就越多,效能也越高,耗能越少。

研究显示,2015-2020年中国半导体芯片产业投资额将达到650亿美元,其中芯片制造设备投资额就将达到500亿美元。但是中国芯片制造设备的95%都是依赖于进口,也就是说需要花480亿到国外购买设备。这也使得中国芯片制造设备的国产化成为了一件非常迫切的事情。

中微(AMEC)的介质刻蚀机服务于国际高端芯片制造业

目前,中微半导体的介质刻蚀设备、硅通孔刻蚀设备、MOCVD设备等均已成功进入国内外重要客户供应体系。截至2017年底,已有620多个中微半导体生产的刻蚀反应台运行在海内外39条先进生产线上。

另据中微半导体设备(上海)有限公司IT/ERP总监董祥国介绍,作为国内集成电路装备制造领域的领先制造企业,中微半导体近年来成功研发了具有自主知识产权的介质刻蚀机,被广泛的应用于海内外一流客户的生产线,从65纳米到10纳米工艺的芯片加工制造,已在国内外27条高端芯片生产线实现大规模量产。

是的,你没看错,不负众望!低调的中微半导体设备公司,终于在新年的时刻,正式敲定了
5nm 刻蚀机!

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中微(AMEC)自主研发的部分技术居世界领先水平

芯片刻蚀的尺寸大小和芯片温度有着密切关系。如果要求刻蚀均匀性达到1纳米,那么整个芯片的温度差异就要控制在2度以内。目前中微自主研发的温控设计可以让刻蚀过程的温控精度保持在0.75度以内,优于国际水平。

同时,中微和国内厂家合作,研制和优化了一整套采用等离子体增强的物理气象沉积金属陶瓷的方法,这种创新的方法极大地改善了材料的性能,其晶粒更为精细、致密,缺陷几乎为零。相比国外当前采用的喷淋盘,中国的陶瓷镀膜喷淋盘寿命可以延长一倍,造价却不到五分之一。

中国芯片生产技术,终于突破欧美封锁,第一次占领世界至高点!

13年前,当时已经60岁的尹志尧放弃了美国的百万年薪,带领三十多人的团队,冲破美国政府的层层审查(所有人都承诺不把美国的技术带回中国,包括所有工艺配方、设计图纸,一切从零开始),回国创办了中微半导体,他要在芯片制造设备领域与国际巨头直接竞争,取得一席之地。

ASML公司2018年的EUV光刻机销量比上一年大幅增长

2018年全年,ASML公司共出货EUV光刻机18台,虽然比起2017年的11台大幅增长,但是比之前预期的20台还是有所减少的。根据ASML公司所说,是他们的客户为了平衡市场供需而延缓了EUV光刻机的交付时间,从今年上半年推迟到了下半年。ASML预计2019年全年将出货30台EUV光刻机。


长期以来中国内地的芯片制造落后欧美很大距离

ASML称霸全球高端光刻机市场

目前全球光刻机厂商有4家,分别是ASML(阿斯麦)、Nikon(尼康)、Canon(佳能)和上海微电子(SMEE)。2017年全球光刻机总出货294台,其中ASML共就出货198台(其中EUV光刻机11台),占全球68%的市场份额。EUV光刻机方面,ASML占有率100%。2017年单台EUV机台平均售价超过1亿欧元,2018年一季度的售价
更是接近1.2亿欧元(有价无货)。在高端光刻机方面,ASML占有88%的市场。

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▲荷兰ASML、日本佳能和尼康三家公司光刻机出货比重

在高端光刻机上,除了龙头老大ASML,尼康和佳能也曾做过光刻机,而且尼康还曾经得到过Intel的订单。

但是近些年,尼康在ASML面前被打的毫无还手之力,高端光刻机市场基本被ASML占据——即便是尼康最新的Ar-F
immersion 630卖价还不到ASML Ar-F immersion
1980D平均售价的一半,也无法挽回败局。

ASML的 EUV NXE 3350B 单价超过1亿美元,ArF
Immersion售价大约在7000万美元左右。相比之下,尼康光刻机的单价只相当于ASML价格的三分之一。

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▲ASML公司EUV光刻机的开发蓝图

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▲ASML公司近几年推出的三款光刻机

当所有的巨头还在为10nm,7nm技术大肆进军的时候,中国中微正式宣布掌握5
nm技术,让对手措手不及,难以置信!原来一直在这一领域没有任何话语权的中国内地半导体企业能够弯道超车!

光刻机与蚀刻机的区别

这俩机器最简单的解释就是光刻机把电路图投影到覆盖有光刻胶的硅片上面,刻蚀机再把刚才画了电路图的硅片上的多余电路图腐蚀掉,这样看起来似乎没什么难的,但是有一个形象的比喻,每一块芯片上面的电路结构放大无数倍来看比整个北京都复杂,这就是这光刻和蚀刻的难度。

同时,中微一些基础的研发也不断地跟进尖端技术,以保证产品的研发能够紧紧跟上甚至领先于国际上的技术发展水平。据尹志尧透露,5nm工艺的这代设备已经攻坚5年时间,中微计划年内对5nm工艺进行测试。尹志尧要求工程师们务必今年底推向市场。

光刻机

光刻机(Mask Aligner) 又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。常

用的光刻机是掩膜对准光刻,所以叫 Mask Alignment System。

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▲光刻机总体结构图

一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。

Photolithography(光刻) 意思是用光来制作一个图形(工艺)。

在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。

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▲光刻机原理图

2008年前后,正当中微公司自行开发12英寸芯片刻蚀机,准备进入国际一流芯片生产线时,两家国际巨头芯片设备公司找上门来。

ASML与比利时研究机构IMEC成立了一座联合研究实验室

2018年第四季度,ASML与比利时研究机构IMEC成立了一座联合研究实验室,共同探索在后3nm逻辑节点的纳米级元件制造蓝图。此次双方这项合作是一项为期五年计划的一部份,分为两个阶段:

首先是开发并加速极紫外光(EUV)微影技术导入量产,包括最新的EUV设备准备就绪。

其次将共同探索下一代高数值孔径(NA)的EUV微影技术潜力,以便能够制造出更小型的纳米级元件,从而推动3nm以后的半导体微缩。

双方将在EXE:5000型光刻机上使用NA=0.55的光学系统,更高的NA有助于将EUV光源投射到更广阔的晶圆上从而提高半导体工艺分辨率,减少晶体管尺寸。

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▲ASML公司未来的EXE:5000型光刻机性能展望图

如今这项研究才刚刚开始,所以新一代EUV光刻工艺问世时间还早,此前ASML投资20亿美元入股蔡司公司,目标就是合作研发NA=0.5的物镜系统,之前公布的量产时间是2024年,这个时间点上半导体公司的制程工艺应该可以到3nm节点了。

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▲ASML公司Twinscan光刻机简易工作原理图

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▲ASML公司Twinscan光刻机各组成部分的意义

在加工芯片的过程中,光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段,将光束透射过画着线路图的掩模,经物镜补偿各种光学误差,将线路图成比例缩小后映射到硅片上,然后使用化学方法显影,得到刻在硅片上的电路图。

一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片,线路图的层数越多,也需要更精密的曝光控制过程。

而众多海外学人陆续归国,更带领中国芯片技术不断向前突破,除了尹志尧以外,还有两位爱国科学家最为关键。

芯片研发动力不足

去年的中兴事件,倒是使得中国出现了一群义愤填膺的企业和有志之士,但是芯片研发靠热血是远远不够的,得有好的市场环境,政策支持,技术支持等等,得有好的带头人,领导者,有好的持续的动力。图片 51

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问题:中国的光刻机与刻蚀机达到世界先进水平,为什么有些人还说中国芯片业依旧前路艰辛?

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我国已突破EUV光刻部分关键技术

极紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography,
EUVL)是一种采用波长13.5nm极紫外光为工作波长的投影光刻技术,是传统光刻技术向更短波长的合理延伸。这种光刻技术被公认为是最具潜力的下一代光刻技术,面对的是7nm和5nm节点,代表了当前应用光学发展最高水平,被行业赋予拯救摩尔定律的使命。作为前瞻性EUV光刻关键技术研究,国外同类技术封锁严重,项目指标要求高,技术难度大、瓶颈多。

2017年,由长春光机所牵头承担的国家科技重大专项02专项——“极紫外光刻关键技术研究”项目顺利完成验收。

长春光机所、中科院光电技术研究所、中科院上海光学精密机械研究所、中科院微电子研究所、北京理工大学、哈尔滨工业大学、华中科技大学等参研单位历经八年的潜心钻研,突破了制约我国极紫外光刻发展的超高精度非球面加工与检测、极紫外多层膜、投影物镜系统集成测试等核心单元技术,成功研制了波像差优于0.75
nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统,构建了EUV 光刻曝光装置,国内首次获得EUV
投影光刻32 nm 线宽的光刻胶曝光图形。

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▲国家科技重大专项02专项——“极紫外光刻关键技术研究”项目成果展示

建立了较为完善的曝光光学系统关键技术研发平台,圆满完成国家重大专项部署的研究内容与任务目标,实现EUV
光学成像技术跨越,显著提升了我国极紫外光刻核心光学技术水平。同时,项目的实施形成了一支稳定的研究团队,为我国能够在下一代光刻技术领域实现可持续发展奠定坚实的技术与人才基础。

根据官方披露的消息,计划在2030年实现EUV光刻机的国产化。

由此可见,国产光刻机要突破垄断还有很长的路需要走。好在,我们国家已经出台了光刻机的国家规划。

国产芯片制造工艺整整落后巨头三代

上海微电子与ASML签署战略合作备忘录

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▲上海微电子(SMEE)与阿斯麦(ASML)签署战略合作备忘录

2017年3月14日,上海微电子装备(集团)股份有限公司(SMEE)宣布,与世界领先的芯片制造设备的领先厂商阿斯麦
(ASML)
签署战略合作备忘录(MoU),为双方进一步的潜在合作奠定了基础。

根据这项合作备忘ASML和SMEE将探索就ASML光刻系统的特定模块或半导体行业相关产品进行采购的可能性。

已年过七旬的尹志尧看起来依然年轻

注:☞

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▲专利PK:中微半导体(AMEC)VS 美国Veeco(美国维易科公司)

随着海关介入执法,美方开始正视中微公司的自主研发专利及其在中国的知识产权状况,主动与中微公司展开谈判,双方最终达成全球范围相互授权的和解协议。

当华为的麒麟970芯片准备跟苹果的A11展开手机AI新时代争夺战时,很多人都在惊呼国产芯片进步的速度,然而却很少有人知道是一个海归中国人将中国的芯片制造能力缩短了三代距离。

图片来源——互联网

回答:

中国的刻蚀机的确是达到了世界先进水平,光刻机还早,而且就算是这两样都世界先进了,不代表中国芯片业的前路就不艰辛了。

目前中国的刻蚀机的确领先,5纳米等离子体刻蚀机已经通过台积电验证;但是光刻机就差多了,之前新闻报道中提到的“中科院SP超分辨光刻机”其实最多只能算是一个“原型机”,和ASML的光刻机不能相提并论,也不能用来制造芯片,还需要攻克一系列的技术难题。

退一步讲,就算是中国的光刻机与刻蚀机都达到世界领先就解决问题了么?ASML的EUV光刻机我们已经下单等待交货了,是不是到货以后中国就可以生产7nm甚至是5nm的芯片了?

不要把问题想简单了,以为芯片也只有光刻机和刻蚀机。芯片制造的技术、经验、工艺以及人才是一个系统性的工程,台积电也不是一天建成的,有了光刻机也不代表我们就能造出最顶尖的芯片。

再退一步讲,如果一流光刻机和刻蚀机都国产了,台积电也变成了中国企业,中国的芯片业就独步天下了么?当然不是,我们还需要高通、苹果、英伟达、英特尔、赛灵思、德州仪器这样的芯片设计、研发、制造和销售公司来打造整个芯片行业的产业链。

芯片行业的产业链非常长,不是靠几台光刻机和刻蚀机就能解决问题了,上、中、下游都有众多厂商在其中竞争搏杀,从这个意义上来讲,中国的芯片行业并非全面落后,但前路的确依旧艰辛,需要我们继续努力!!

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回答:

不可否认,如今中国的光刻机也刻蚀机取得了跳跃式的发展,达到了世界前列的水平。但是,要说都达到了世界最先进的水平,是需要质疑的。

5纳米等离子体刻蚀机的出现,让刻蚀机技术达到前列,但光刻机,还只能说刚刚有所突破。不少人没有认清这样的现状,于是不断出现“弯道超车”“全面赶超”“伟大突破”这样的自嗨言论,自大的言论带来的不小的错误导向,连人民日报也不止一次指出这样的错误。

并且不久前,ASML公司才宣布,看好和加大光刻机对华出口。如今中国光刻机技术取得飞速发展,但是仍然存在差距,而要制造尖端芯片,是不能容忍这样的差距的。况且,即使光刻机技术达到顶尖,中国的芯片业依然充满艰辛。图片 59

光刻机只是芯片制造设备,要说芯片制造业的前路。更重要的还有很多方面。就如同你拥有了一把好剑,却根本没有力气挥动它。也是无济于事,而中国芯片业,除了光刻机技术还需要突破以外,还面临着以下问题。

这位先后在硅谷英特尔、LAM、应用材料三家公司工作逾20年,继而回国创业将近10年的古稀老人依然奋战在研发一线。中微半导体设备有限公司CEO尹志尧30年间见证了中西集成电路发展的兴荣。

EUV薄膜

在EUV发展过程中,最大的一个痛点就在于极其昂贵的MASK(EUV薄膜)。这种被称为薄膜的覆盖物可以“保持”铸造在硅片上的图案。MASK作为光掩膜的保护层,提供阻隔外界污染的实体屏障,可以防止微尘或挥发气体污染光掩膜表面,减少光掩膜使用时的清洁和检验。

ASML公司已经开发出83%透射率的薄膜,在采用245W光源,测试可达到100
片晶圆/时吞吐量,ASML的目标是开发出透射率90%的透明薄膜,可承受300W的EUV光源,实现125片晶圆/时的吞吐量。ASML也正在努力保持机器内部比现在更清洁,这样客户可以随意使用没有薄膜的MASK。

等离子体刻蚀机是在芯片上进行微观雕刻,刻出又细又深的接触孔或者线条,每个线条和深孔的加工精度是头发丝直径的几千分之一到上万分之一。

光刻机的分辨率

决定光刻机分辨率的公式如下:

光刻机分辨率=k1*λ/NA

k1是常数,不同的光刻机k1不同,

k1越大对应的光刻工艺就越容易。k1的极限是0.25,小于0.25的光刻工艺是不可能的。λ指的是光源波长,NA是物镜的数值孔径(Numerical
Aperture), 数值孔径是无量纲(dimensionless
quantity)的数量,与光的聚焦程度有关。数值孔径越大意味着分辨率越高。改变EUV机器中的数值孔径将需要更大,更完美抛光的成像镜组。

所以光刻机的分辨率就取决于光源波长及物镜的数值孔径,波长越短越好,NA越大越好,这样光刻机分辨率就越高,制程工艺越先进。

现在的EUV光刻机使用的是波长13.5nm的极紫外光,而普通的DUV光刻机使用的是193nm的深紫外光,所以升级到EUV光刻机可以大幅提升半导体工艺水平,实现7nm及以下工艺。

但是改变波长之后再进一步提升EUV光刻机的分辨率就要从NA指标上下手了,目前的光刻机使用的还是NA=0.33的物镜系统,下一代的目标就是NA=0.5及以上的光学系统了。

他们分别是在芯片制造关键材料—–高纯度溅射金属靶材上取得突破的姚立军,以及实现国产研磨液替代进口的王淑敏,他们分别在各自的领域打破了国外企业长期垄断的局面。

上海集成电路研发中心携手ASML在上海建光刻人才培训中心

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▲上海集成电路研发中心(ICRD)与阿斯麦(ASML)签署合作备忘录

2017年6月21日,上海集成电路研发中心有限公司(ICRD)与ASML签署合作备忘录,双方将在上海合作共建一个半导体光刻人才培训中心。

未来,这个培训中心将拥有多款ASML的光刻设备和检测设备,也将逐步对国内半导体行业企业内的光刻工程师开放。这将大幅提高中国集成电路产业在高端和专业技术人才方面的培养力度。这对国内工程师熟悉设备工艺,提升光刻技能与专业知识具有积极的促进作用。

综上所述,我国的蚀刻机技术已达世界先进水平。光刻机技术虽然已经取得了部分关键技术的突破,也得到了国际光刻机巨头ASML的支持,但是,光刻机技术要赶上世界先进水平还有很长的一段路要走。除蚀刻机与光刻机外,目前我国在芯片领域又发展的怎么样了呢?

等离子体刻蚀机是芯片加工的关键设备

中国蚀刻机已达到世界先进水平

据媒体报道,2018年12月,中微半导体设备(上海)有限公司自主研制的5纳米等离子体刻蚀机经台积电验证,性能优良,将用于全球首条5纳米制程生产线。5纳米,相当于头发丝直径(约为0.1毫米)的二万分之一,将成为集成电路芯片上的最小线宽。台积电计划2019年进行5纳米制程试产,预计2020年量产。

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▲半导体器件工艺制程从14纳米微缩到5纳,等离子蚀刻步骤会增加三倍

刻蚀机是芯片制造的关键设备之一,曾一度是发达国家的出口管制产品。中微半导体联合创始人倪图强表示,中微与科林研发(Lam
Research)、应用材料(Applied Materials)、东京威力科创(Tokyo Electron
Limited)、日立全球先端科技 (Hitachi High-Technologies)
4家美日企业,组成了国际第一梯队,为7纳米芯片生产线供应刻蚀机。中微半导体如今通过台积电验证的5纳米刻蚀机,预计能获得比7纳米更大的市场份额。

中国厂商也进口了ASML公司的高端光刻机

中国的晶圆厂除了进口ASML公司的ArF、KrF传统光刻机之外,EUV光刻机也采购了。不过国内没有大批量采购EUV光刻机的原因主要是技术还没跟上,EUV光刻机适用于7nm及以下工艺,国内目前量产的工艺还是28nm,14nm工艺研发完成了,但是中芯国际今年才能规模量产。

根据中银国际机械团队统计,2018年5月19日,长江存储订购的ASML193nm浸没式光刻机运抵武汉。这台光刻机售价7200万美元,用于14
nm-20 nm工艺3D NAND闪存生产;

5月21日,华力二期(华虹六厂)订购的193nm双极沉浸式光刻机NXT:1980Di已经进场,用于其12英寸先进生产线建设项目;中芯国际(SMIC)
也已向ASML定购一台价值1.2亿美元
的EUV(极紫外线)光刻设备,预计2019年交付。这些设备价格十分高昂,单价在7000万美元至1.2亿美元。

中微(AMEC)坚决捍卫自身的专利权不受侵犯

2018年年初,中微半导体公司获悉,美方涉嫌侵犯中微公司专利权的设备即将从上海浦东国际机场进口,随即向上海海关提出扣留侵权嫌疑货物的申请。上海海关及时启动知识产权海关保护程序,在进口环节开展行政执法,根据权利人申请,暂停涉嫌侵权设备的通关,这批设备货值达3400万元。

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光刻机被业界誉为集成电路产业皇冠上的明珠,研发的技术门槛和资金门槛非常高。也正是因此,能生产高端光刻机的厂商非常少,到最先进的14nm光刻机就只剩下ASML,日本佳能和尼康已经基本放弃第六代EUV光刻机的研发。

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▲各代光刻机的参数对比

上海微电子装备(SMEE)有限公司

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▲上海微电子装备有限公司LOGO

上海微电子装备(SMEE)有限公司坐落于张江高科技园区内,邻近国家集成电路产业基地、国家半导体照明产业基地和国家863信息安全成果产业化(东部)基地等多个国家级基地。

公司成立于2002年,致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的研发制造,产品包括前道光刻机、后道封装光刻机、平板显示光刻机、检测设备、搬运设备等。

上海微电子(SMEE)深耕光刻机产品研发,承担多项专项科研任务。公司承接了光刻机国家重大科技专项,以及02专项“浸没光刻机关键技术预研项目”(通过国家验收)和“90nm光刻机样机研制”(通过了02专项专家组现场测试)任务。

该公司的IC前道制造光刻机最高可实现90nm制程,有望快速将产品延伸至65纳米制程。

公司的IC后道封装光刻机可以满足各类先进封装工艺的需求,已经实现批量供货,并出口到海外市场,国内市场占有率达到80%,全球市场占有率40%;用于LED制造的投影光刻机的市场占有率也达到20%。

作为国内光刻机设备领域的领航者,上海微电子承担着国产光刻机设备的希望,有望实现国产光刻设备的重大突破。

芯片人才缺口巨大

这三条原因呈现出相辅相成的状态。芯片人才不足导致技术储备不足,研发动力不足,市场形势不好,无法吸引芯片人才……据统计,中国芯片行业达到40万的人才缺口,而尖端的工程师更是急需。没有科研人员,技术就无从谈起。而没有好的科学家,人才培养也面临问题,因此急需创造利好形势来吸引人才。

总而言之,如今中国芯片业的前路依旧艰辛,面临着诸多困难,但是困难正在被逐渐解决,芯片行业正在逐渐传来利好消息,相信未来也会一片大好!

回答:

刻蚀机达到了世界先进水平,光刻机还没有,而且与世界先进水平至少还有十几二十年的差距。

中国现在的很多芯片虽说已经能够研发,但是没有办法加工出来,因为光刻机达不到要求,一般都是找台湾或三星代工。

世界最先进的光刻机技术在荷兰asml公司手上,并且多年来几乎一直垄断了高端光刻机市场,美国,日本,韩国和我国台湾省的高端光刻机都是从这家公司买的。但这个公司之前一直由于美国的施压对中国实施技术封锁还有禁运,有钱都不卖给你。

中国只能靠自己研发,光刻机的研发难度对于之前一直空白的中国来说非常大,没有可借鉴的东西,只能从头开始一步一步来。而光刻机的更新换代的速度非常快,从手机的更新换代就能看出来,有时候中国研发出一代的时候,世界最先进水平也更新了一代。这样的话,中国在进步的同时,世界最先进水平也在进步,差距就难以缩小。

不过近几年情况有了一些改观,随着中国的研发进度不断加快,asml公司对中国的技术封锁不再如过去那么严格。因为中国市场对他们来说还是非常有吸引力的,一旦中国研发进度赶上来的话,他们的光刻机在中国就卖不出去,赚不到钱了,趁着还有技术优势可以先高价卖给中国人,敲一笔钱。去年还是前年就有媒体报道过,中国花了超过一亿美金从asml公司手中买了一台当时最先进的发动机。

asml公司之所以这样做,也有一些不怀好意,先卖光刻机给中国,让咱们麻痹大意,想忽悠咱们重新走“造不如买,买不如租”的老路,到时候中国的整个芯片行业可能都得被他们扼住命门,不得不看他们的脸色。可惜中国人吃过一次这样的亏就不会再上当了,买的同时必须同时进行研发,两头并进,这样一旦技术封锁也不会有太大影响。

回答:

我首先说,小编你这样说,崇媚洋外可就不对了,不能不佩服国外的先进技术,可是人家真有那本事,中国人有吗?根本就没有,芯片研发,芯片制造,是需要一个耐心,坚持,长期和投入并且没有回报利润产品,可是谁又能做到这种持之以恒的精神,我想中国人根本就没有这样的精神,刻蚀机也好,光刻机也罢,芯片制造也罢,中国人要在芯片制造和光刻机制造达到世界先进水平,必须坚定不移长期投入巨资,而且想着没有回报的精神,中国人不知道能不能做到,国外的人,为什么有顶尖研发团队和制造工程师,就是人家有先进的教育和先进的管理模式和先进的管理经验和先进的管理团队,还有人家都有一种工匠精神在里面,就拿中国研发发动机来说,为什么中国造不出先进的发动机,不好的话,就是连汽车民用发动机都造不出来,就是没有一个长期的投入,才不会造出先进的产品,40年了,中国的世界工厂名称还没有消掉,处于发展中国家,中国要想发展成世界一流强国,那必须是军事,经济,政治,教育,医疗,房价,物价,人均收入,芯片制造,等等,达到一个水平,才能跻身世界强国,没有几百年的奋斗目标,根本就很难实现,芯片也是如此。。

回答:

题主说的不全对。中国的刻蚀机已经达到了世界先进水平,但中国的光刻机还很落后,并且面临着国外的打压与国内的不信任等内忧外患,特别是国内的一帮崇洋媚外者和对国产产品没有信心的企业以及国内的运营商,比国外的打压更可恨,所以发展之路艰辛是不可避免的。
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其实,芯片设备与芯片制造不是一回事,中国的芯片设备进步不小,中国的芯片制造还有差距。
国内在制造芯片之路是路途艰险,有外部因素,也有自身原因。
芯片制造是人类历史上最复杂的工艺,加工精度为头发丝的几千分之一,需要上千个步骤才能完成。这么复杂的工艺,也是需要巨款来投资。有专家分析,建一个最先进的芯片工厂,至少需要上百亿美元。这样的投资规模,只有跨国巨头乃至国家才能完成。

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例如中微的蚀刻机已看齐世界水平,中芯国际的工艺已挺进到28纳米,但受限于不友好的产业环境,水平还是差强人意。就比如光刻机,ASML的EUV光刻机即将投入7纳米工艺,而国内最先进的量产水平是90纳米。因为买不到高水平的镜头和光源,这是光刻机的核心部件,而国内缺乏相关的技术,所以差距很大。
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不知道各位看官们是如何看待国产光刻机的呢?欢迎在下方评论留言,让更多人看到您的观点,谢谢!

回答:

并非如此,中国光刻机技术达不到世界先进水平,国产芯片制造前景不容乐观。图片 67为什么有些人说中国芯片业依然前路艰辛?我国的光刻机俨然无法达到世界先进水平,只能实现
22nm
制程的芯片生产,这与当前最先进的7nm隔了好几代,我们甚至无法制造出14nm、
10nm的芯片。ArF 光刻机已无法制造出更先进制程的芯片,EUV
光刻机才是芯片制造业的未来。图片 68中国有达到世界先进水平的刻蚀机,但刻蚀机需要先由光刻机完成电路图投影,才能腐蚀掉硅片上的多余电路图,无法独立完成芯片生产。
图片 69中国现在大部分芯片都来自于国外进口,毕竟中国工业化程度落后于他国,欠缺长期的技术积淀,而芯片制造水平是一个国家工业化程度的最高水平的提现,我国想要达到世界先进水平,确实前路漫漫。

回答:

从研究成果到小批量成功试生产再到低成本大批量投产需要的不光是质量可靠的设备更多的建立一个稳定的现场操作和维护団队。

目前我们还有很多的路要走,积累经验和稳定队伍是最需要时间的考验。

回答:

从标题就不难看出,小编真是个科盲。我国光刻机比荷兰落后的不只是一点点,而是落后几代,科学来不得半点虚假,必须事实求是,吹牛浮夸只会害人害己误国误民。例如,华为麒麟980芯片是7纳米的,是由台积电代工生产,其光刻机以荷兰进口,目前,我国还没有自主7纳米光刻机。需努力追赶,仍需时日。

回答:

请不要把刻蚀机和光刻机并排在一起!它根本就不配!因为它们的技术含量天差地别!刻蚀只是光刻之后的一个简单步骤,芯片的水平是取决于光刻技术的。宣布取得了5纳米刻蚀技术只是自欺欺人罢了!因为我们的光刻技术还在二十多纳米,和世界先进水平7纳米差了三代以上。所以我们别说7纳米芯片,就连14纳米芯片也造不出来。和世界先进水平差距巨大。也请别再说什么技术已达到国际先进水平的话了!吹牛逼不能当饭吃!明白吗!

等离子体刻蚀

等离子体刻蚀在集成电路制造中已有40余年的发展历程,最早70年代引入用于去胶,80年代成为集成电路领域成熟的刻蚀技术。刻蚀采用的等离子体源常见的有容性耦合等离子体(CCP-capacitivelycoupled
plasma)、感应耦合等离子体ICP(Inductively coupled plasma)和微波ECR
等离子体(microwave electron cyclotronresonance plasma) 等。

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▲等离子体刻蚀

虽然等离子体刻蚀设备已广泛应用于集成电路制造,但由于等离子体刻蚀过程中复杂的物理和化学过程到目前为止仍没有一个有效的方法完全从理论上模拟和分析等离子体刻蚀过程。除刻蚀外,等离子体技术也成功的应用于其他半导体制程,如溅射和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。当然鉴于plasma丰富的活性粒子,plasma也广泛应用于其他非半导体领域,如空气净化,废物处理等。

尹志尧和他的团队开发出了第一台国产等离子体刻蚀机

凭着过去20多年的经验和基础技术支持,尹志尧和他的团队很快就开发出了第一台国产的生产半导体芯片的设备——等离子体刻蚀机。

等离子体刻蚀机是在芯片上进行微观雕刻

等离子体刻蚀机是在芯片上进行微观雕刻,刻出又细又深的接触孔或者线条,每个线条和深孔的加工精度是头发丝直径的几千分之一到上万分之一。“在米粒上刻字的微雕技艺上,一般能刻200个字已经是极限,而我们的等离子刻蚀机在芯片上的加工工艺,相当于可以在米粒上刻10亿个字的水平。”尹志尧这样形容到。

一个16nm的微观逻辑器件有60多层微观结构,要经过1000多个工艺步骤,要攻克上万个技术细节才能加工出来。只看等离子体刻蚀这个关键步骤,它的加工尺度为普通人头发丝的五千分之一,加工的精度和重复性要达到五万分之一。

而5纳米刻蚀工艺更紧密,就好比用一个比头发丝还小20000倍的笔,在一粒不过3cm的大米上,写出十亿个中文繁体字,难度可想而知。

芯片微缩制程的推进需要EUV光刻机拥有更大功率的EUV光源

ASML最新的NXE:3400B
EUV型光刻机,采用245W光源,在实验条件下,未使用掩膜保护膜(pellicle),已实现每小时曝光140片晶圆的吞吐量;该机型在用户端的测试中,可达到每小时曝光125片晶圆的吞吐量,套刻误差2nm。

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▲ASML公司光刻机的曝光晶圆吞吐量演进图

按照ASML公司EUV技术路线规划,公司将在2018年底前,通过技术升级使NXE:3400B
EUV机型的套刻误差减小到1.7nm以下,满足5nm制程的工艺需求;在2019年中,采用250W
EUV光源,达到每小时145片晶圆的量产吞吐量;在2020年,推出升级版的NXE:3400C
EUV机型,采用250W EUV光源达到155片/时的量产吞吐量。

总体上,目前的250W
EUV光源已经可以满足7nm甚至5nm制程的要求,下一代机器将需要更多的EUV瓦数。在实验室中,ASML已破解410
W,但尚未达到芯片生产所需的,足够好的占空比(duty cycle)。

更强大的激光器将有所帮助,但这可能会增加锡液滴的速度。在今天的机器中,锡滴每秒被射出50,000次,但ASML的副总裁Anthony
Yen表示,新产品的液滴发生器的运行速度或将达到80,000赫兹。

据估算,在3nm技术节点,对EUV光源的功率要求将提升到500W,到了1nm技术节点,光源功率要求甚至将达到1KW。

我国刻蚀机技术与世界最前沿技术比肩

在刻蚀设备领域,美国的泛林半导体凭借着先发优势和大量研发投入保持行业龙头地位,但中国厂商中微半导体在近十年迅速崛起,并开始打入国际市场。

中微在刚刚涉足IC芯片介质刻蚀设备时,就推出了65nm等离子介质刻蚀机产品,随着技术的进步一直做到45nm、32nm、28nm等,现在16nm刻蚀机已经实现了商业化量产,
而且进入台积电的5个半导体生产线。

目前尹志尧的团队能研发生产10nm到7nm的设备已经与世界最前沿技术比肩。这些团队精英中,上百人都曾是美国和世界一流的芯片和设备企业的技术骨干,大都有着20到30多年半导体设备研发制造的经验。

7-10nm刻蚀机设备可以与世界最前沿技术比肩。

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▲美国商业部的工业安全局决定将等离子刻蚀机从美国对中国控制出口名录中去除

随着中微的崛起, 2015年美国商业部的工业安全局特别发布公告,
承认中国已经拥有制造具备国际竞争力刻蚀机的能力,
且等离子刻蚀机已经进入量产阶段,因而决定将等离子刻蚀机从美国对中国控制出口名录中去除。

光刻机的国家规划

2008年“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项将EUVL技术列为下一代光刻技术重点攻关,《中国制造2025》将EUVL列为了集成电路制造领域的发展重点,并计划在2030年实现EUV光刻机的国产化。

从国家规划来看,我国光刻机技术落后荷兰ASML公司至少20年。